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Gogolin, R.; Zielke, D.; Descoeudres, A.; Despeisse, M.; Ballif, C.; Schmidt, J.: Demonstrating the high Voc potential of PEDOT:PSS/c-Si heterojunctions on solar cells. In: Energy Procedia 124 (2017), S. 593-597. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.295
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| Zusammenfassung: | |
In this study, we demonstrate the high surface passivation quality of PEDOT:PSS/c-Si junctions for the first time on solar cell level, reaching a record high Voc value of 688 mV after full-area metallization of the PEDOT:PSS. We achieve this by combining the PEDOT:PSS hole-selective layer at the rear of the crystalline silicon wafer with a well-passivating electron-selective a-Si:H(i/n) layer stack at the front. Our results clearly prove the excellent hole selectivity of PEDOT:PSS on crystalline silicon. © 2017 The Authors. Published by Elsevier Ltd. | |
| Lizenzbestimmungen: | CC BY-NC-ND 4.0 Unported |
| Publikationstyp: | Article |
| Publikationsstatus: | publishedVersion |
| Erstveröffentlichung: | 2017 |
| Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Mathematik und Physik |
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| Pos. | Land | Downloads | ||
|---|---|---|---|---|
| Anzahl | Proz. | |||
| 1 |  |
Germany | 204 | 68,69% |
| 2 |  |
United States | 39 | 13,13% |
| 3 |  |
China | 21 | 7,07% |
| 4 |  |
Vietnam | 6 | 2,02% |
| 5 |  |
Greece | 4 | 1,35% |
| 6 |  |
No geo information available | 3 | 1,01% |
| 7 |  |
Sweden | 3 | 1,01% |
| 8 |  |
Russian Federation | 2 | 0,67% |
| 9 |  |
Korea, Republic of | 2 | 0,67% |
| 10 |  |
Australia | 2 | 0,67% |
| andere | 11 | 3,70% | ||
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