Müller, J.; Bothe, K.; Gatz, S.; Plagwitz, H.; Schubert, G. et al.: Recombination at local aluminum-alloyed silicon solar cell base contacts by dynamic infrared lifetime mapping. In: Energy Procedia 8 (2011), S. 337-342. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2011.06.146
Zusammenfassung: | |
The application of local aluminum (Al)-alloyed contacts to the p-type base of silicon solar cells reduces minority charge carrier recombination due to the formation of a local back surface field (LBSF). We study the recombination properties and formation of base contacts, which are realized by local laser ablation of a dielectric stack (laser contact opening - LCO) and subsequent full area screen printing of Al paste. Based on charge carrier lifetime measurements using the camera-based and calibration-free dynamic infrared lifetime mapping (ILM) technique, we determine contact recombination velocities at the contacts as low as Scont = 65 cm/s on 200 Ωcm float-zone silicon (FZ-Si) and corresponding reverse saturation current densities of J0,cont = 900 fA/cm2 on 1.5 Ωcm FZ-Si. As a result we show that local contact geometries with point contact radii r > 100 μm and line contact widths a > 80 μm are appropriate for lowest contact recombination employing local Al alloyed contacts. Furthermore, complete and high quality laser ablation of the dielectric stack is necessary for the formation of a sufficiently thick LBSF. | |
Lizenzbestimmungen: | CC BY-NC-ND 3.0 Unported |
Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2011 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Mathematik und Physik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 185 | 40,84% | |
2 | United States | 152 | 33,55% | |
3 | Sweden | 29 | 6,40% | |
4 | China | 27 | 5,96% | |
5 | Greece | 25 | 5,52% | |
6 | No geo information available | 7 | 1,55% | |
7 | Taiwan | 3 | 0,66% | |
8 | France | 3 | 0,66% | |
9 | Georgia | 2 | 0,44% | |
10 | Austria | 2 | 0,44% | |
andere | 18 | 3,97% |
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